UV发光机构PN结终端电压构成了一个特定的屏障，当势垒电压时，当势垒向下时，P和N区域的大多数载波会扩散到另一边。由于电子的流动比孔的流动大得多，所以在P区扩散中会有大量的电子，构成P区域的少数载波注入。这些电子与价带上的孔洞结合在一起，当重新组合时获得的能量以光能的形式释放出来。这就是PN结光的原理。    

    uvled紫外线冷光源发光效率通常被称为元件的外部量子效率，这是元件内部量子效率的乘积，以及元件的去除效率。所谓元件的内部量子效率实际上是元件本身的电光转换效率，主要与元件本身的特性有关(如组件材料的能量带、缺陷、杂质)、元件的组成和结构。 而去除该成分的效率指的是在吸收、折射和在组装过程中产生的光子的反射后，可以测量出的光子数量。因此，与萃取效率有关的因素包括组件材料本身的吸收、装配的几何形状、组装与封装材料的折射率差以及组件结构的散射特性。元件内部量子效率的乘积和元件的 卸效率是整个组件的发光效应，即元件的外部量子效率。早期组件开发集中在改善其内部量子效率的主要方法是提高质量的障碍和改变结构的障碍,因此,电是不容易转换成热量,然后间接提高紫外LED发光效率,可以约70%的内部量子效率理论,但这种内部量子效率几乎是接近理论极限。在这种情况下，通过提高元件的内部量子效率来提高元件的总分量是不可能的，因此元件的提取效率成为一个重要的研究课题。目前的方法主要是:颗粒形状变化-尖端结构，表面粗糙度技术。      

    uvled紫外线冷光源电特性电流控制装置，其负载特性与UI曲线的PN结相似，uvled紫外线冷光源正向电压的很小变化可以导致正向电流(指数级)大变化，反向漏电电流很小，击穿电压。在实际使用中，应选择。随着温度的升高，UV引导的电压降低，温度系数为负。紫外线引导能量消耗，部分转化为光能，这是我们需要的。其余的转化为热量，从而使结温上升。      

    紫外LED光学特性UV LED紫外线冷光源提供半宽度的单色光，因为半导体能与温度上升，所以它的峰值波长随温度升高而增加，也就是说，红移。UV发光亮度与正向电流成比例。电流的增加，光亮度也近似增加。此外，明亮的亮度也与环境温度有关。当环境温度高时，复合效率降低，光亮度降低。

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